VS-1N3768
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1N3768
| Artikelnummer: | VS-1N3768 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1N3768 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments VS-1N3768.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.8 V @ 110 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 1000 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse DO-203AB (DO-5) Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Serie - Verpackung / Gehäuse DO-203AB, DO-5, Stud Paket Bulk Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 190°C Befestigungsart Chassis, Stud Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 2 mA @ 1000 V Strom - Richt (Io) 35A Kapazität @ Vr, F - Grundproduktnummer 1N3768 VS-1N3768 Einzelheiten PDF [English] VS-1N3768 PDF - EN.pdf -
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